Kuyerera kweMOSFET kuyedzwa

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluittfouten, ontkoppeling, versterking. Als een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek tonnen werwijzen and het volgende proces uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekage; zal niet veranderen is er geen problem;

2, een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug oneindig, uye MOSFET ndiro dambudziko guru;

3, yakatora chinyoreso chemhando yebhuku reMOSFET S, yakanyorwa nechinyoreso chemhando yeMOSFET, ine mamita chimuti chekumaka moet geen grote amen;

4, yakasangana newaerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment yewaarde van de meterpaal marking yapera het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op basis van deze weerstand aan de MOSFET gedhi mabhatiri opladen, wat resulteert in dege elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool digitaalinen pool, zodasmeter hoe groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.